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广东华裕电子有限公司 
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| 供应C35 GTO缓冲吸收电容器 |
C35 GTO缓冲吸收电容器
型号 规格 价格(元） 尺寸（mm) 引出
C35 0.47vF/5000V 50 Φ53*L50 M6
价格仅供参考，以报价单为准。
主要应用/Application
广泛应用于GTO缓冲吸收以及大电流，高压场合。
Widely used in GTO snubber，high current and high voltage application.
产品特点/Characteristics
电介质：聚丙烯薄膜
结构：金属化膜内串结构
封装：外包阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装
引出： M6或M8铜螺母引出
能承受大电流，高电压
低损耗、高稳定
具有自愈性
Dielectric：Polypropylene film
Construction：Metalized film internal series connection
Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.
Flame retardant execution（UL94V-0）
Terminals：Copper nut leads，threaded insert M5,M6 or M8
High current，high voltage
Low losses，high stability
Self healing
技术性能/Specifications
引用标准/Reference standards GB/T 17702 IEC 61071
工作温度范围/Operating temperature range -40℃～85℃
容量范围/Capacitance 0.33μF～3.0μF
额定电压/Rated Voltage 4000Vdc～10 000Vdc
容量偏差/Tolerance ±5% ±10%
极间耐电压/Test voltage between terminals 1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
极壳耐电压/Test voltage between terminals and case 3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
损耗角正切/Dissipation factor tgδ≤8×10-4 at 25℃±5℃，1kHz
绝缘电阻/Insulation resistance C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
预期寿命/Life expectancy 200000h at Ur and 70℃
此产品关键字：
IGBT吸收电容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收电容厂家、IGBT吸收电容价格
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